人妻乱轮立即播放

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                讀取幹擾

                簡介

                閃存(NAND flash memory)是相當普及的儲存媒介,從小尺寸規格(small form factor)的行動裝置乃至大數據中心皆可使用。不過,隨著奈米制程的演進,內存單元越做越小,“讀取幹擾” (Read Disturbance)也逐〓漸成為影響閃存可靠度的一大因素。讀取幹擾通常發生在對內存進行大量◣讀取之後。這些讀取行為會改變讀取區域周遭單元的位狀態,造成數據出錯。

                為什麽ぷ會發生讀取幹擾?

                每個閃存單元,都有浮動【閘(floating gate)和控制閘(control gate),與字符線(word-line; WL)相連;同時,單元中還有源但是没有丧失了防御極(source)以及汲極(drain),單元的源極與隔壁》單元的汲極彼此相鄰,連通之後稱為位線而那几个因为同伴而死去(bit-line; BL)。如圖所示,浮閘位於控◥制閘下方。浮閘中儲存的電荷數目決定了晶體管的閾值※電壓(threshold voltage)。

                要得知是否有電荷困在浮閘中,內存會讀取整列字符線。如圖所示,若想讀取某一列 (以淡綠⌒色表示),則必須對鄰近該列的字符線施加一較高電流(以深綠色表示)。同時,每行ζ位線會選定一個內存單元,好讓裝置判讀其位狀態,即儲存的是0或是1。對鄰近把它当做了宝贝一样给收了下来單元施加的高電壓,會把電荷吸入浮閘中,同時每一次讀取,都稍微提高╳該單元的閾值電壓,使位狀態受幹擾。長此以往,單元的閾值電壓不斷累積,最後從 “未編程” 狀態(儲存一個1),變成 “已編程” 狀態(儲存一個0),這個現象就是讀ζ取幹擾。位狀態一旦√變化便不可逆,只有將區塊抹除,才能讓其回復初始值。

                創ㄨ見的解決方案

                透過減少不必要的讀︾取行為,可以改善讀取幹擾的現象。創見提供以下三種方案,來改善讀取幹擾的影響。

                1. 平均抹寫技◥術 (Wear leveling algorithm):這個功能能Ψ夠均化閃存的使用,讓使用範圍平均分布於整塊內存的可用空間,確保數據能平均地抹寫。
                2. 預防性搬離 (Early move):此功能可偵測並糾正潛※在的數據錯誤。如【果區塊中的錯誤接近上限,數據就會被移動至另一區塊,同時原區这身法跟大哥有塊將被抹除。(註:僅部分產品支持。)
                3. 重復讀取 (Read retry):此功能可讓◣閃存調整讀取時的參考電壓 (read reference voltage) ,防止讀取錯誤。

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